图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 40V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 22A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.5 mOhm @ 22A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 61nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3900pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | Power33 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 8Power 33 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| RDS -于 | 2.5@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 6.1 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 典型下降时间 | 4.9 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1.05(Max) |
| 最大功率耗散 | 2300 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 2.5@10V |
| 最大漏源电压 | 40 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 3.3 |
| 供应商封装形式 | Power 33 |
| 包装长度 | 3.3 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 22 |
| 引脚数 | 8 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 22A (Ta), 49A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 供应商设备封装 | 8-PQFN (3.3X3.3), Power33 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2.5 mOhm @ 22A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.3W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3900pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 61nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDMC8321LCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Quad Drain, Triple Source |
| 外形尺寸 | 3.3 x 3.3 x 1.05mm |
| 身高 | 1.05mm |
| 长度 | 3.3mm |
| 最大漏源电阻 | 4.1 mΩ |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 40 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | Power33 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 44 nC @ 10 V |
| 典型输入电容@ VDS | 2930 pF @ 20 V |
| 宽度 | 3.3mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 49 A |
| 系列 | FDMC8321L |
| 单位重量 | 0.001133 oz |
| RDS（ON） | 2.5 mOhms |
| 功率耗散 | 40 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | Power-33 |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 21 nC, 44 nC |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 40 V |
| 弧度硬化 | No |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.5 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 49 A |
| 通道数 | 1 Channel |
| Qg - Gate Charge | 21 nC, 44 nC |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 技术 | Si |
FDMC8321L也可以通过以下分类找到
FDMC8321L相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家